設(shè)備用途:

適用于電子陶瓷與高溫結(jié)構(gòu)陶瓷的燒結(jié)、玻璃的精密退火與微晶化、晶體的精密退火、陶瓷釉料制備、粉末冶金、納米材料的燒結(jié)、金屬零件淬火及需快速升溫工藝要求的熱處理，應(yīng)用于電子元器件、新型材料及粉體材料的真空氣氛處理，材料在惰性氣氛環(huán)境下進(jìn)行燒結(jié)。本設(shè)備具有可靠、操作簡(jiǎn)單、控溫精度高、保溫效果好、溫度范圍大、爐膛溫度均勻性高等特點(diǎn)。綜合性能指標(biāo)較高，處于國(guó)內(nèi)水平。根據(jù)不同的使用氣氛及使用溫度，使用不同的加熱元件，型號(hào)，對(duì)需在惰性氣體環(huán)境下燒結(jié)的材料，本設(shè)備是一個(gè)非常好的選擇，同時(shí)也可滿足于不同工藝實(shí)驗(yàn)而特殊制造。

設(shè)備簡(jiǎn)介 :

該真空電阻爐以硅鉬棒為加熱元件，采用雙層殼體結(jié)構(gòu)和30-50段程序控溫系統(tǒng)，移相觸發(fā)、可控硅控制，爐膛采用氧化鋁材料，雙層爐殼間配有風(fēng)冷系統(tǒng)。爐體采用整體密封，蓋板和爐門密封采用高溫硅膠板、爐門口安裝有真空系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)等，氣體經(jīng)過(guò)流量計(jì)后進(jìn)入爐體，可以通氬氣、氮?dú)獾榷栊詺怏w，并能抽真空。

主要技術(shù)參數(shù):

1. 加熱功率：   5KW

     加熱形式：   1500型硅鉬棒MoSi2

                       左右兩面加熱，溫場(chǎng)均勻，能耗低

 升溫速率建議:10℃/Min Max:20℃/Min

1. 爐膛尺寸：    300mm*200mm*200mm

                        400mm*300mm*300mm

                        500mm*400mm*400mm

2. 外形尺寸：    1800mm*1300mm*1600mm(高/寬/長(zhǎng)）

3. 保溫材料：    1500型高純氧化鋁微晶體纖維，保溫性能好

4. 裝料方式：    前側(cè)裝料

5. 氣氛種類：    惰性氣體（氮?dú)猓瑲鍤猓?/p>

6. 常規(guī)中空度：  6.7x10^(-2) Pa

7. 極限真空度：  6.7x10^(-3) Pa

8. 極限充氣壓力：≤0.05Mpa

9. 長(zhǎng)期使用壓力：≤0.04Mpa（微正壓、表壓）

10. 控制精度：    ±1 ℃

11. 熱電偶型號(hào)：N型

12. 溫控控制：    30段程序控溫系統(tǒng)，PID控制

13. 內(nèi)外層爐殼：  SECC鋼板防銹處理，并經(jīng)粉體烤漆處理

14. 設(shè)備表面溫度：≤60℃

15. 數(shù)據(jù)導(dǎo)出系統(tǒng)：可通過(guò)USB將升降溫工藝導(dǎo)出，曲線圖顯示

結(jié)構(gòu)組成:

真空電阻爐主要由爐體、加熱保溫系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣氛控制系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)、電器控制系統(tǒng)等組成。